买卖IC网 >> 产品目录 >> SiR818DP-T1-GE3 MOSFET 30 Volts 50 Amps 69 Watts datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SiR818DP-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30 Volts 50 Amps 69 Watts
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30 Volts 50 Amps 69 Watts
SiR818DP-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 50 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.0023 Ohms
配置 Single
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SO-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SiR818DP-T1-GE3
SIR826ADP-T1-GE3
SIR826DP-T1-GE3
SIR836DP-T1-GE3
SIR838DP-T1-GE3
SIR840DP-T1-GE3
供应商
公司名
电话
深圳市硅宇电子有限公司 13424293654 唐先生
深圳市华雄半导体（集团）有限公司 18988598856 雷精云
深圳市毅创辉电子科技有限公司 077-8326952815602945519 王金英
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697 雷春艳
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129491949(手机优先 谭玉丽
深圳市大合云芯科技有限公司 13590332260 何生
深圳市中平科技有限公司 0755-83946385 赖先生
深圳市禧创科技有限公司 13509620153 罗双
深圳市崧晔达科技有限公司 13926591096 苑小姐
北京京北通宇电子元件有限公司 17862669251 洪宝宇
  • SiR818DP-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,960 0.8560001 1677.76
    3,000 0.8279999 2484
    6,000 0.772 4632
    12,000 0.732 8784